格兰菲申请半导体器件及其造备法子电子配置专利避免泛亚电竞功率器件临蓐良率下降

2024-11-13点击量：898

　　金融界2024年11月11日音尘，国度学问产权局消息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其造备本事泛亚电竞、电子筑立”的专利，公然号CN 118919560 A，申请日期为2024年8月。

　　专利摘要显示，本公然涉及一种半导体器件及其造备本事、电子筑立，蕴涵：衬底；第一阱区生产设备，位于衬底内；两个埋入式沟槽栅极布局，沿第一对象间隔排布于衬底内，每个埋入式沟槽栅极布局蕴涵沟槽栅极以及遮盖沟槽栅极顶面的绝缘布局，每个埋入式沟槽栅极布局沿笔直衬底的对象贯穿并延长至第一阱区的下方；第二阱区，位于衬底内及两个埋入式沟槽栅极布局之间泛亚电竞，第二阱区的底面低于绝缘布局的底面且高于第一阱区的底面，第二阱区与第一阱区的导电类型差异；导电插塞，位于第二阱区内泛亚电竞。起码可以避免反复沟槽内的导电插塞明白偏离两个埋入式沟槽栅极布局的中央地方的题目，从而避免功率器件的参数失效，进而形得胜率器件分娩的匀称性变差生产设备，良率下降等题目。

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